800nm APD
Jellemzők
- Elöl megvilágított lapos chip
- Nagy sebességű válaszadás
- Magas APD nyereség
- Alacsony csomóponti kapacitás
- Alacsony zaj
Alkalmazások
- Lézeres mérés
- Lézeres radar
- Lézeres figyelmeztetés
Fotoelektromos paraméter（@Ta=22±3℃）
| tételszám | Csomag kategória | Fényérzékeny felület átmérője (mm) | Spektrális választartomány (nm) |
Csúcs válasz hullámhossz | Reaktivitás λ=800 nm φe=1μW M=100 (A/W) | Válaszidő λ=800 nm RL=50Ω (ns) | Sötét áram M=100 (nA) | Hőmérséklet együttható Ta=-40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)
| Teljes kapacitás M=100 f = 1 MHz (pF)
| Áttörési feszültség IR=10μA (V) | ||
| Typ. | Max. | Min | Max | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TO-46 | 0.23 |
400-1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0,05 | 0.2 | 0.5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TO-46 | 0,50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | 0,05 | 0.2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
