dfbf

850nm-es Si PIN modulok

850nm-es Si PIN modulok

Modell: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Rövid leírás:

Ez egy 850 nm-es Si PIN fotodióda modul előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Termék leírás

Termékcímkék

Jellemzők

  • Nagy sebességű válaszadás
  • Magas érzékenység

Alkalmazások

  • Lézeres biztosíték

Fotoelektromos paraméter (@Ta=22±3℃)

tételszám

Csomag kategória

Fényérzékeny felület átmérője (mm)

Reaktivitás

Emelkedő idő

(ns)

Dinamikus hatókör

(dB)

 

Üzemi feszültség

(V)

 

Zajfeszültség

(mV)

 

Megjegyzések

λ=850nm,φe=1μW

λ=850 nm

GD4213Y

TO-8

2

110

12

20

±5±0,3

12

-

GD4251Y

2

130

12

20

±6±0,3

40

(Beesési szög: 0°, áteresztőképesség 830nm ~ 910nm ≥90%

GD4251Y-A

10×1,5

130

18

20

±6±0,3

40

GD42121Y

10×0,95

110

20

20

±5±0,1

25

Megjegyzés: A GD4213Y tesztterhelése 50 Ω, a többi többi 1 MΩ

 

 


  • Előző:
  • Következő: