850 nm-es Si PIN modulok

Modell: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Rövid leírás:

Ez egy 850 nm-es Si PIN fotodióda modul előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.

idézz Letöltés

Műszaki paraméter

Termékcímkék

Jellemzők

Nagy sebességű válaszadás
Magas érzékenység

Alkalmazások

Lézeres biztosíték

Fotoelektromos paraméter (@Ta=22±3℃)

tételszám	Csomag kategória	Fényérzékeny felület átmérője (mm)	Reaktivitás	Emelkedő idő (ns)	Dinamikus hatókör (dB)	Üzemi feszültség (V)	Zajfeszültség (mV)	Megjegyzések
tételszám	Csomag kategória	Fényérzékeny felület átmérője (mm)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850 nm	Üzemi feszültség (V)	Zajfeszültség (mV)	Megjegyzések
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Beesési szög: 0°, áteresztőképesség 830nm ~ 910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Megjegyzések: A GD4213Y tesztterhelése 50Ω, a többi többi 1MΩ