DETEKTOR

DETEKTOR

  • 355 nm APD

    355 nm APD

    Ez egy Si-lavina fotodióda nagy fényérzékeny felülettel és fokozott UV-sugárzással.Nagy érzékenységet biztosít az UV-től a NIR-ig.

  • 800nm ​​APD

    800nm ​​APD

    Ez a Si lavina fotodióda, amely nagy érzékenységet biztosít az UV-től a NIR-ig.A válaszjel csúcs hullámhossza 800 nm.

  • 905 nm APD

    905 nm APD

    Ez a Si lavina fotodióda, amely nagy érzékenységet biztosít az UV-től a NIR-ig.A válaszjel csúcs hullámhossza 905 nm.

  • 1064nm APD

    1064nm APD

    Ez a Si lavina fotodióda, amely nagy érzékenységet biztosít az UV-től a NIR-ig.A válaszjel csúcs hullámhossza 1064 nm.Érzékelőképesség: 36 A/W 1064 nm-en.

  • 1064 nm-es APD modulok

    1064 nm-es APD modulok

    Ez egy továbbfejlesztett Si lavina fotodióda modul előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.

  • InGaAs APD modulok

    InGaAs APD modulok

    Ez egy indium-gallium-arzenid lavina fotodióda modul előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.

  • Négynegyedes APD

    Négynegyedes APD

    Négy azonos Si-lavina fotodiódából áll, amelyek nagy érzékenységet biztosítanak az UV-től a NIR-ig.A válaszjel csúcs hullámhossza 980 nm.Válaszadóképesség: 40 A/W 1064 nm-en.

  • Négynegyedes APD modulok

    Négynegyedes APD modulok

    Négy azonos Si-lavina fotodiódából áll, előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek felerősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.

  • 850 nm-es Si PIN modulok

    850 nm-es Si PIN modulok

    Ez egy 850 nm-es Si PIN fotodióda modul előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.

  • 900nm-es Si PIN fotodióda

    900nm-es Si PIN fotodióda

    Ez egy Si PIN fotodióda, amely fordított előfeszítés mellett működik, és nagy érzékenységet biztosít az UV-től a NIR-ig.A válaszjel csúcs hullámhossza 930 nm.

  • 1064 nm-es Si PIN fotodióda

    1064 nm-es Si PIN fotodióda

    Ez egy Si PIN fotodióda, amely fordított előfeszítés mellett működik, és nagy érzékenységet biztosít az UV-től a NIR-ig.A válaszjel csúcs hullámhossza 980 nm.Érzékelőképesség: 0,3 A/W 1064 nm-en.

  • Fiber Si PIN modulok

    Fiber Si PIN modulok

    Az optikai jelet optikai szál bemenetével áramjellé alakítják át.Az Si PIN modul előerősítő áramkörrel rendelkezik, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.