Négynegyedes Si PIN modulok

Modell: GD4316Y/ GD4319Y

Rövid leírás:

Egyszeres vagy megkétszerezett négy azonos Si PIN fotodiódából áll, előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.

idézz Letöltés

Műszaki paraméter

Termékcímkék

Jellemzők

Nagy sebességű válaszadás

Alkalmazások

Lézervezérlés

Fotoelektromos paraméter (@Ta=22±3℃)

tételszám	Csomag kategória	Fényérzékeny felület átmérője (mm)	Üzemi feszültség (V)	Zajfeszültség effektív érték (mV)	Reaktivitás (kV/W)	Negyedkör Inkonzisztencia (%)	Kvadráns áthallás (%)	Dinamikus hatókör (dB) λ=1064 nm P_W=20ns	Megjegyzések
					λ=1060 nmP_W=20nsφ_e=100μW
GD4316Y	TO-25	10	±12±0,5	2	15	6	3	100	Egyetlen négykvadráns
GD4319Y					15	8	5	70 (belső négykvadráns) 57 (külső négynegyedes)	Dupla négykvadráns