InGaAs APD modulok

Modell: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Rövid leírás:

Ez egy indium-gallium-arzenid lavina fotodióda modul előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.

idézz Letöltés

Műszaki paraméter

Termékcímkék

Jellemzők

Elöl megvilágított lapos chip
Nagy sebességű válaszadás
Az érzékelő nagy érzékenysége

Alkalmazások

Lézeres mérés
Lézeres kommunikáció
Lézeres figyelmeztetés

Fotoelektromos paraméter（@Ta=22±3℃）

tételszám	Csomag kategória	Fényérzékeny felület átmérője (mm)	Spektrális választartomány (nm)	Áttörési feszültség (V)	Reaktivitás M=10 λ=1550 nm (kV/W)	Emelkedő idő (ns)	Sávszélesség (MHz)	Hőmérséklet együttható T_a= -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	Zaj egyenértékű teljesítmény (pW/√Hz)	Koncentricitás (μm)	Más országokban lecserélt típus
GD6510Y	TO-8	0.2	1000-1700	30-70	340	5	70	0.12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B