dfbf

InGaAs APD modulok

InGaAs APD modulok

Modell: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Rövid leírás:

Ez egy indium-gallium-arzenid lavina fotodióda modul előerősítő áramkörrel, amely lehetővé teszi a gyengeáramú jelek erősítését és feszültségjellé alakítását a foton-fotoelektromos jelerősítés átalakítási folyamatának elérése érdekében.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Termék leírás

Termékcímkék

Jellemzők

  • Elöl megvilágított lapos chip
  • Nagy sebességű válaszadás
  • Az érzékelő nagy érzékenysége

Alkalmazások

  • Lézeres mérés
  • Lézeres kommunikáció
  • Lézeres figyelmeztetés

Fotoelektromos paraméter@Ta=22±3℃

tételszám

 

 

Csomag kategória

 

 

Fényérzékeny felület átmérője (mm)

 

 

Spektrális választartomány

(nm)

 

 

Áttörési feszültség

(V)

Reaktivitás

M=10

λ=1550 nm

(kV/W)

 

 

 

 

Emelkedő idő

(ns)

Sávszélesség

(MHz)

Hőmérséklet együttható

Ta= -40 ℃ ~ 85 ℃

(V/℃)

 

Zaj egyenértékű teljesítmény (pW/√Hz)

 

Koncentricitás (μm)

Más országokban lecserélt típus

GD6510Y

 

 

TO-8

 

0.2

 

 

1000-1700

30-70

340

5

70

0.12

0,15

≤50

C3059-1550-R2A

GD6511Y

0.5

10

35

0.21

GD6512Y

0,08

2.3

150

0.11

C3059-1550-R08B


  • Előző:
  • Következő: