InGaAS-APD modul sorozat
| Fotoelektromos jellemzők (＠Ta＝22±3℃) | |||
| Modell | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| Csomag forma | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| Fényérzékeny felület átmérője (mm) | 0.2 | 0.5 | 0,08 |
| Spektrális választartomány (nm) | 1000-1700 | 1000-1700 | 1000-1700 |
| Áttörési feszültség (V) | 30-70 | 30-70 | 30-70 |
| Válaszadóképesség M=10 l=1550nm (kV/W) | 340 | 340 | 340 |
| Emelkedési idő (ns) | 5 | 10 | 2.3 |
| Sávszélesség (MHz) | 70 | 35 | 150 |
| Egyenértékű zajteljesítmény (pW/√Hz) | 0,15 | 0.21 | 0.11 |
| Üzemi feszültség hőmérsékleti együttható T=-40℃~85℃ (V/℃) | 0.12 | 0.12 | 0.12 |
| Koncentricitás (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| Alternatív, azonos teljesítményű modellek világszerte | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
Első sík chip szerkezet
Gyors válasz
Magas érzékelő érzékenység
Lézeres mérés
Lidar
Lézeres figyelmeztetés
Első sík chip szerkezet
Gyors válasz
Magas érzékelő érzékenység
Lézeres mérés
Lidar
Lézeres figyelmeztetés
