905nmAPD egycsöves sorozat

Típus: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y /-2-2-P GD5210Y-2-5-P

A készülék egy szilíciumlavina fotodióda, a spektrális válasz a látható fénytől a közeli infravörösig terjed, a válaszadási hullámhossz pedig 905 nm.

idézz Letöltés

Műszaki paraméter

Fotoelektromos jellemzők (＠Ta＝22±3℃)
Modell		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Sor
Csomag forma		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	műanyag csomagolás	műanyag csomagolás	PCB
Fényérzékeny felület átmérője (mm)		0.23	0,50	0,80	0.23	0,50	0.23	0,50	személyre szabott
Spektrális választartomány (nm)		400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100
Csúcs válasz hullámhossz (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Fogékonyság λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Sötétáram M=100(nA)	Tipikus	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	Fényérzékenység szerint
Sötétáram M=100(nA)	Maximális	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Az egyik oldalon
Válaszidő λ=905nm R1=50Ω (ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Fényérzékeny felület szerint
Üzemi feszültség hőmérsékleti együttható T=-40℃~85℃ (V/℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
Teljes kapacitás M = 100 f = 1 MHz (pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Fényérzékeny felület szerint
áttörési feszültség IR=10μA(V)	Minimális	130	130	130	130	130	130	130	160
áttörési feszültség IR=10μA(V)	Maximális	220	220	220	220	220	220	220	200

Előző: 800nmAPD egycsöves sorozat

Következő: 1064nmAPD egycsöves sorozat

Első sík chip szerkezet

Nagy sebességű válaszadás

Magas nyereség

Alacsony csomóponti kapacitás

Alacsony zaj

A tömb mérete és a fényérzékeny felület testreszabható

Lézeres mérés

Lidar

Lézeres figyelmeztetés